海力士宣布加速HBM4E記憶體研發,預計2026年推出,頻寬提升40%

海力士宣布加速HBM4E記憶體研發,預計2026年推出,頻寬提升40%

近日,全球知名半導體企業SK海力士在其官方公告中宣布,將加速其高效能記憶體(HBM)技術的研發進程,並預計在2026年最早推出其下一代HBM產品-HBM4E。 據公司負責人Kim Gwi-wook透露,這款新型記憶體產品的頻寬將是前代HBM4的1.4倍,標誌著HBM技術已經邁入了新的發展階段。

HBM(High Bandwidth Memory)技術是一種專為高效能運算應用設計的記憶體解決方案,其特點是透過垂直堆疊多個DRAM層來顯著提升頻寬,同時降低延遲。 在AI、高效能運算(HPC)和圖形處理等領域,HBM技術正日益受到重視,成為推動技術進步的關鍵因素之一。

SK海力士此次宣布的HBM4E產品,不僅代表了HBM技術的最新進展,也體現了公司對市場需求的敏銳洞察和積極響應。 隨著AI領域的快速發展,對高效能記憶體的需求日益增加,特別是在處理大規模資料集和複雜演算法時,更高的記憶體頻寬和更低的延遲變得至關重要。

據悉,除了HBM4E產品外,SK海力士還計劃在2025年下半年推出首批採用12層DRAM堆疊的HBM4產品,並在稍晚的2026年推出16層堆疊的HBM產品。 這些新產品的推出將進一步豐富SK海力士的HBM產品線,滿足不同客戶的需求。

業內專家指出,SK海力士加速HBM技術的研發進程,不僅有助於提升公司在高效能記憶體市場的競爭力,也將對整個產業的技術進步產生正面影響。 隨著HBM技術的不斷發展與完善,預計在未來推動AI、HPC等領域實現更突破性的進展。

總之,SK海力士的HBM4E記憶體產品備受期待,推出將進一步提升高效能記憶體的效能與效率,為AI等領域的發展提供有力支援。

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