離子束微影

EUV光刻機，這項代表半導體製造領域高精尖技術的設備，其研發歷程可謂歷盡艱辛，技術難度極高。從1980年代開始，EUV光源的研發就吸引了全球科學研究人員的目光。當時，科學研究人員致力於探索超過4nm至40nm的多個波長，力求找到最適合光刻技術的光源。同時，電子束光刻機、離子束微影等技術也在同步研發中，各種技術路線競爭激烈。