近日，SK 海力士宣布已成功量產全球最高的321層1Tb（太比特）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存，再次刷新了NAND快閃記憶體堆疊層數的技術紀錄。這款新產品不僅在資料儲存容量上有所提升，更在資料傳輸速度、讀取效能和能源效率方面實現了顯著優化。
據悉，與上一代238層NAND快閃記憶體產品相比，321層產品在資料傳輸速度和讀取效能上分別提高了12%和13%，資料讀取能效也提升了10%以上。這項技術突破無疑將為用戶帶來更快的數據處理速度和更有效率的能源利用。
SK 海力士表示，該公司自2023年6月量產目前最高的上一代238層NAND快閃記憶體產品以來，一直致力於技術突破和創新。此次成功推出超過300層的NAND閃存，標誌著SK 海力士在NAND快閃記憶體技術領域再次取得了重大進展。該公司計劃從2025年上半年起，正式向客戶提供這款321層NAND快閃產品，以滿足日益增長的市場需求。
在產品開發過程中，SK 海力士採用了高效的「3-Plug」製程技術，成功克服了堆疊層數增加所帶來的技術挑戰。該技術透過分三次進行通孔製程，並經過優化的後續製程將3個通孔進行電氣連接，實現了高效堆疊。同時，SK 海力士也開發了低變形材料，並引進了通孔間自動排列（Alignment）矯正技術，進一步提升了產品的可靠性和穩定性。
此外，SK 海力士技術團隊充分利用上一代238層NAND快閃記憶體的開發平台，將相關技術與經驗應用於321層產品的開發。這項舉措不僅縮短了產品開發週期，還最大限度地減少了製程變化，使得321層NAND快閃記憶體的生產效率相比上一代提升了59%。
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