2024年12月，全球半導體產業的目光將聚焦於舊金山，第70屆IEEE國際電子設備年會（IEDM）將在此舉行。此次盛會不僅吸引了台積電、IMEC、IBM和三星等半導體巨頭的參與，也將見證垂直堆疊互補場效電晶體（CFET）技術的最新研究成果展示。
儘管全閘極環繞電晶體（GAA FET）技術尚未在業界獲得大規模應用，但CFET技術作為下一代半導體技術的重要發展方向，已經引起了廣泛關注。 CFET技術的概念最早由IMEC研究所於2018年提出，其核心在於在同一區域內垂直堆疊n型和p型電晶體，以實現更小的製程尺寸和更高的性能。
在即將到來的IEDM會議上，台積電將發表一篇關於CFET技術的論文，詳細介紹在48nm柵距（大致相當於現有5nm製程的標準）上製造的全功能單片CFET逆變器的性能。該逆變器採用了堆疊式n型和p型奈米片晶體管，並融入了背面觸點和互連技術，從而大大提高了裝置的性能與設計靈活性。實驗結果表明，台積電生產的CFET元件展現出高達1.2V的電壓傳輸特性以及僅74~76mV/V的亞閾值斜率，這標誌著CFET在功耗方面取得了顯著進步。
同時，IBM和三星也將展示其CFET技術的最新研究成果。他們提出了一種“單片堆疊FET”，該研究引入了階梯結構的概念，其中底部FET通道比上方通道更寬，以降低堆疊高度並減少高縱橫比工藝帶來的挑戰。此外，IMEC將展示其在「雙排CFET」方面的研究成果，旨在進一步在垂直和水平方面擴展CFET的應用範圍。
根據IMEC的路線圖預測，CFET預計在A5製程節點（預計約2032年）實現廣泛量產。這項預測為CFET技術的未來發展提供了明確的時間表，並預示著該技術將在未來幾年內成為半導體產業的重要發展方向。
儘管CFET技術目前尚未準備好用於商業生產，但此次IEDM會議上的展示無疑為業界提供了寶貴的交流和學習機會。隨著各大半導體公司不斷加大研發投入，CFET技術可望在未來實現更廣泛的應用，為半導體產業的發展注入新的活力。
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