今日，半導體製造商SK海力士宣布了一項重大技術突破，公司成功在全球範圍內率先實現12層HBM3E晶片的量產，這一里程碑式的成就不僅將HBM產品的最大容量提升至前所未有的36GB，也進一步鞏固了SK海力士在以AI應用的記憶體市場的領導地位。
根據官方消息，SK海力士透過創新的技術手段，成功將12顆3GB DRAM晶片堆疊至同一包裝內，而整體厚度卻保持與現有8層產品相當，實現了容量50%的顯著提升。這項壯舉的背後，是公司對DRAM晶片製造工藝的極致追求，每個晶片被製造得比以往薄了40%，同時採用先進的矽通孔（TSV）技術實現垂直堆疊，有效提升了空間利用率。
值得注意的是，SK海力士在追求更高容量的同時，也解決了堆疊更多變薄晶片所帶來的結構性挑戰。該公司獨家應用的核心技術－先進MR-MUF工藝，不僅使新品的散熱性能較上一代提升了10%，還顯著增強了控制翹曲的能力，確保了產品的穩定性和可靠性，為AI應用的長期穩定運作提供了堅實保障。
自2013年首代HBM問世以來，SK海力士始終走在產業前沿，是迄今唯一一家開發並成功向市場供應全系列HBM產品的企業。這次12層HBM3E晶片的量產，不僅標誌著公司在HBM技術領域的又一次飛躍，也充分滿足了人工智慧領域對更高速度、更大容量和更強穩定性的迫切需求。
特別值得一提的是，這款12層HBM3E晶片在性能上同樣表現出色，其運行速度高達9.6Gbps，在搭載四個HBM的GPU上運行大型語言模型如“Llama 3 70B”時，每秒能夠讀取35次高達700億個整體參數的數據，為AI模型的訓練和推理提供了強大的數據支援。
受此重大利多消息影響，SK海力士的股價在韓國市場應聲上漲，漲幅超過8%，公司總市值也隨之突破120.34萬億韓元（約合6351.55億元人民幣），充分展現了市場對於公司技術創新能力和市場前景的高度認可。
SK海力士表示，將持續深耕HBM技術領域，不斷探索與創新，為全球AI產業的快速發展貢獻更多力量。隨著12層HBM3E晶片的量產與應用，一個全新的AI儲存時代正加速到來。
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